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2025-08
星期
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无锡赛瑞达管式炉 烧结炉 赛瑞达智能电子装备供应
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体的外延生长依赖高温管式炉。以SiC外延为例,需在1500°C–1600°C下通入硅源(如SiH₄)和碳源(如C₃H₈),管式炉的石墨加热器与碳化硅涂层石英管可耐受极端环境。关键挑战在
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2025-08
星期 六
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无锡8英寸管式炉LPCVD 赛瑞达智能电子装备供应
管式炉的工艺监控依赖多维度传感器数据:①温度监控采用S型热电偶(精度±0.5℃),配合PID算法实现温度稳定性±0.1℃;②气体流量监控使用质量流量计(MFC,精度±1%),并通过压力传感器(精度±0.1%)实时校正;③晶圆状态监
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2025-08
星期 六
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无锡一体化管式炉 烧结炉 赛瑞达智能电子装备供应
在太阳能电池的关键工艺——掺杂工艺中,管式炉能够提供精确的高温环境,使杂质原子均匀地扩散到硅片内部,形成P-N结,这对于太阳能电池的光电转换效率起着决定性作用。此外,在制备太阳能电池的减反射膜和钝化层等关键薄膜材料时,管式炉可通过
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2025-08
星期 六
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无锡8吋管式炉怎么收费 赛瑞达智能电子装备供应
精确控温对于半导体管式炉的性能至关重要。以某品牌管式炉为例,其搭载智能PID温控系统,温度波动低可小于0.5摄氏度,在氧化工艺中,能将氧化膜厚度误差控制在小于2%,确保每一片晶圆都能获得高度一致且精确的热处理,满足半导体制造对工艺
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2025-08
星期 六
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无锡6英寸管式炉PSG/BPSG工艺 赛瑞达智能电子装备供应
半导体制造过程中,为了保证工艺的准确性和稳定性,需要对相关材料和工艺参数进行精确校准和测试,管式炉在其中发挥着重要作用。比如在热电偶校准工作中,管式炉能够提供稳定且精确可控的温度环境。将待校准的热电偶置于管式炉内,通过与高精度的标