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2025-07
星期 五
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无锡赛瑞达管式炉怎么收费 赛瑞达智能电子装备供应
管式炉在CVD中的关键作用是为前驱体热解提供精确温度场。以TEOS(正硅酸乙酯)氧化硅沉积为例,工艺温度650℃-750℃,压力1-10Torr,TEOS流量10-50sccm,氧气流量50-200sccm。通过调节温度和气体比例
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2025-07
星期 五
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无锡赛瑞达管式炉销售 赛瑞达智能电子装备供应
由于化合物半导体对生长环境的要求极为苛刻,管式炉所具备的精确温度控制、稳定的气体流量控制以及高纯度的炉内环境,成为了保障外延层高质量生长的关键要素。在碳化硅外延生长过程中,管式炉需要将温度精确控制在1500℃-1700℃的高温区间
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2025-07
星期 五
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无锡第三代半导体管式炉哪家值得推荐 赛瑞达智能电子装备供应
在半导体芯片进行封装之前,需要对芯片进行一系列精细处理,管式炉在这一过程中发挥着重要作用,能够明显提升芯片封装前处理的质量。首先,精确的温度控制和恰当的烘烤时间是管式炉的优势所在,通过合理设置这些参数,能够有效去除芯片内部的水汽等
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2025-07
星期 五
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无锡一体化管式炉氧化退火炉 赛瑞达智能电子装备供应
管式炉工艺后的清洗需针对性去除特定污染物:①氧化后清洗使用HF溶液(1%浓度)去除表面残留的SiO₂颗粒;②扩散后清洗采用热磷酸(H₃PO₄,160℃)去除磷硅玻璃(PSG);③金属退火后清洗使用王水(HCl:HNO₃=3:1)去
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2025-07
星期 五
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无锡国产卧式炉 赛瑞达智能电子装备供应
在半导体封装前的预处理环节,卧式炉用于对芯片或封装材料进行烘烤等处理,以去除水分、改善材料性能,提升封装的可靠性。卧式炉的大容量设计与均匀的温度分布,可同时对大量芯片或封装材料进行高效处理,且确保每一个都能达到理想的预处理效果。如